三星 | SK海力士 | 美光 | 长鑫 | 长江存储 | 2026年3月
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| 厂商 | 地位 | DRAM市占 | NAND市占 | HBM | 中国核心布局 |
|---|---|---|---|---|---|
| 三星 | 全球总龙头 | 40%+（1） | 33%+（1） | 领先 | 西安NAND |
| SK海力士 | HBM龙头 | 36%+（2） | 16%（3） | 垄断 | 无锡DRAM |
| 美光 | 全球第三 | 20%+（3） | 15%（5） | 追赶 | 仅封测 |
| 长鑫存储 | 国产DRAM | 7%+（4） | — | 样品 | 合肥/上海/北京 |
| 长江存储 | 国产NAND | — | 13%（4） | — | 武汉 |
| 全球地位 | 全球第一大存储厂商，DRAM、NAND双料第一 |
| DRAM | 1a/1c制程，HBM4已量产，服务器DRAM全球最强 |
| NAND | 430层全球最高，市占33%–35% |
| 战略 | AI高端优先，70%先进产能投HBM/服务器 |
| 核心基地 | 西安（NAND全球最大基地）、苏州封测 |
| 产能占比 | 西安NAND占全球55%–60% |
| 合规 | 获年度设备许可；HBM/EUV高端受限 |
| 中国营收 | 35%–40%，第一大市场 |
| 全球地位 | 全球第二，HBM市占53%，AI存储最强 |
| DRAM | 1a/1c制程，HBM3E/HBM4主力出货 |
| NAND | 321层高端，市占16% |
| 战略 | 全面绑定AI，高毛利优先 |
| 核心基地 | 无锡DRAM、大连NAND、重庆封测 |
| 产能占比 | 无锡DRAM占全球30%–40% |
| 合规 | 成熟制程正常，HBM配额供应 |
| 中国营收 | 40%+，最大市场 |
| 全球地位 | 全球第三大存储厂商 |
| DRAM | 1γ/1β制程，HBM追赶中 |
| NAND | 232层，聚焦企业级 |
| 战略 | 美国优先，退出消费级，主攻数据中心/车规 |
| 核心基地 | 上海/深圳/北京（销售研发），西安/东莞（封测） |
| 产能 | 无晶圆厂，仅封测 |
| 合规 | 管制最严，高端完全禁运 |
| 中国营收 | 25%–30% |
| 全球地位 | 全球第四大DRAM，市占7%–8% |
| 技术 | 17nm DDR5良率80%+，HBM3样品，年底量产 |
| 产能 | 合肥满产，上海新厂2026投产 |
| 战略 | 中低端全面替代，高端突破 |
| 基地 | 合肥、上海、北京（全部在大陆） |
| 中国市占 | DRAM 25%–30% |
| 优势 | 成本低、政策支持、已移出黑名单 |
| 客户 | 小米、OV、传音、浪潮、华为 |
| 全球地位 | 全球第四大NAND，市占10%–13% |
| 技术 | Xtacking架构，294层量产，320层验证 |
| 产能 | 武汉一/二/三期，目标30万片/月 |
| 战略 | 消费级渗透，企业级突破 |
| 基地 | 武汉（全部在大陆） |
| 中国市占 | NAND 20%–25% |
| 优势 | 成本低10%–20%，政策强力支持 |
| 客户 | 小米、OV、PC、服务器厂商 |